巩毓震FIB聚焦离子束装置 SMI2050

FIB聚焦离子束装置SMI2050:实现高效原子级金属沉积

原子级金属沉积是制造高质量晶体管、微电子器件和传感器的关键工艺之一。话说回来, 传统的化学气相沉积(CVD)和磁控溅射(MCP)等方法存在一些限制,如沉积速度慢、原子密度低、成膜污染等。为了解决这些问题,聚焦离子束装置(FIB)被引入。FIB可以通过高能离子束来产生局部高场,从而在固体表面实现高效原子级金属沉积。本文将介绍FIB聚焦离子束装置SMI2050,它是一种用于高效原子级金属沉积的仪器。

SMI2050是一种高功率聚焦离子束装置,可以将高能离子束聚焦在非常小的区域内,从而实现高效的原子级金属沉积。它的最大离子束能量为20.5 kV,可以将水、硝酸、氢氟酸等极性溶剂中的金属离子沉积到固体表面。SMI2050的工作原理基于离子束的电离和激发。当高能离子束撞击固体表面时,会产生电子-离子对。这些电子和离子被加速,形成高能的电子-离子对。这些高能电子和离子会与固体表面上的原子相互作用,导致金属原子的离子化或激发。这些激发的金属原子可以形成金属蒸气,并在高场作用下沉积到固体表面。

SMI2050的离子束发生器采用了一种特殊的电极结构。这种电极结构可以使离子束更加稳定,并且能够提供更高的离子束能量。SMI2050的离子束发生器还包括一个可控制的离子束调节器,可以根据需要调节离子束的能量和聚焦程度。这个装置还包括一个自动化的沉积系统,可以实现对沉积过程的全面控制。

原子级金属沉积是制造高质量微电子器件和晶体管的重要工艺之一。SMI2050聚焦离子束装置可以实现高效的原子级金属沉积。它可以在非常小的区域内聚焦高能离子束,从而可以高效地实现金属蒸气的沉积。这为原子级金属沉积提供了一种全新的解决方案,也为微电子器件和晶体管的制造提供了一种更加高效的方法。